特許

J-GLOBAL ID：200903053612930742

薄膜製造方法および装置

発明者： 大谷 実 ,  石倉 淳理 ,  藤村 秀彦 ,  沢村 光治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  新技術事業団
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172998
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 複数の異種蒸着材料をそれぞれ基板の成膜面に蒸着して各蒸着材料の薄膜をそれぞれ製造する場合において、各蒸着材料の薄膜それぞれの膜厚分布を均一にする。【構成】 ZrO2 を真空度1×10-4torrで蒸着するとき膜厚分布が均一となる形状に設定した膜厚分布補正板3を準備しておく。この膜厚分布補正板3を真空槽1の壁面に固定し、基板を基板ホルダー2の下面の中央孔2Aからずらした部位に保持し、半径方向に並べたのち、排気口6より真空吸引して1×10-6torr以下の真空度とした真空槽1内へ給気口7より酸素ガスを導入し、基板ホルダー2を回転しつつ5×10-5torrの真空度の酸素ガス雰囲気中でSiO2 を蒸着した。

請求項（抜粋）：

複数の異種蒸着材料をそれぞれ基板の成膜面に蒸着することにより各蒸着材料の薄膜をそれぞれ製造する方法において、前記異種蒸着材料の内の一つの蒸着材料について、その固有の真空度において膜厚分布が均一となるように形状を設定した膜厚分布補正板を蒸発源と前記基板との間に配設し、各蒸着材料毎の固有の真空度でそれぞれ蒸着することを特徴とする薄膜製造方法。