特許
J-GLOBAL ID：200903053622057940
シリコン層形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277014
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090395
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、粉末シリコンと溶剤を含む溶液を霧状にふき出す噴霧器と噴霧器よりふき出した溶液を加熱する加熱器とを設けることにより、噴霧器を直接加熱する必要をなくすことで噴霧器の寿命を伸ばして製造コストの低減を図る。【構成】 半導体基板21を載置する回転テーブル11の上方に、溶液(例えば粉末シリコンと溶剤とよりなる溶液)20を回転テーブル11方向に霧状にふき出す噴霧器12を設ける。また噴霧器12より霧状にふき出す溶液20中の進路の側方に第1の加熱器14を設ける。さらに回転テーブル11の側方に第2の加熱器15を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板を載置する回転テーブルと、前記回転テーブルの上方に設けたもので当該回転テーブル方向に溶液を霧状にふき出す噴霧器と、前記噴霧器より霧状にふき出す溶液の進路の側方に設けた第1の加熱器と、前記回転テーブルの側方に設けた第2の加熱器とによりなることを特徴とするシリコン層形成装置。
IPC (5件)：
H01L 21/76
, B05C 11/08
, B05D 1/40
, C01B 33/02
, C23C 14/32
