特許

J-GLOBAL ID：200903053623124772

半導体チップの接続方法

発明者： 志風 秀二郎
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261864
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107081
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップと配線基板の接続部分の信頼性を向上させる。【解決手段】 キャピラリ32から所定長さ突出しているワイヤ34の先端部((A)参照) を所定温度に加熱した作業台20に押圧し、先端部を押し広げ底面を平らに整形する((B)参照) 。次に整形したワイヤ34の先端部を半導体チップ16の電極18に熱圧着により取付け((C)参照) 、ワイヤ34を切断して電極18上にバンプ40を形成する((D)参照) 。次に所定温度に加熱したバンプ整形ツール36をバンプ40の先端部に押圧し、バンプ40の先端部を押し広げ、中間部が括れた鼓型にバンプ40を整形する((E)参照) 。上記処理を繰り返して半導体チップ16の全ての電極上に鼓型のバンプ40を形成し((F)参照) た後に、該バンプ40を配線基板42の電極に熱圧着によって取付ける((G)参照) 。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極及び配線基板の電極の何れか一方に、該電極に接している側の端部から電極に接している側と反対側の端部に向かう方向に沿った中間部が括れた形状のバンプを形成し、前記バンプを取付けていない他方の電極に前記バンプの前記反対側の端部を熱圧着により取付ける半導体チップの接続方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 J