半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067422
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274861
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】シェアドセンスアンプの動作を早くして情報の読み出しを迅速に行うことができる半導体記憶装置を得る。【構成】ビット線選択信号S1L、S1Rを発生するビット線選択信号発生回路2Aと、ワード線選択信号SWを発生するワード線選択信号発生回路4と、複数のシェアドセンスアンプ10及びメモリセル15〜18を含むメモリセルアレイ7を備え、ビット線選択信号S1L、S1Rのレベルを1/2Vcc+読み出し電位差より大きくVcc以下のレベルVsに設定し、シェアドセンスアンプ10の動作後に、選択されたビット線対に対応するビット線選択信号S1L、S1RのレベルをVsよりVcc+α1にブーストする。

請求項（抜粋）：

ビット線及びワード線間にマトリクス状に配列されたメモリセル、このメモリセルより読み出された情報を増幅するアンプを含むメモリセルアレイと、上記ビット線を選択するビット線選択信号を発生する第1の選択信号発生手段と、上記ワード線を選択するワード線選択信号を発生する第2の選択信号発生手段と、この第2の選択信号発生手段の出力に基ずいて上記アンプを駆動する駆動信号を発生する駆動手段とを備え、上記ビット線選択信号のレベルを1/2電源電圧+読み出し電位差より大きく電源電圧以下のレベルに設定し、上記アンプの動作後に、選択されるビット線の上記ビット線選択信号のレベルを電源電圧以上にするようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-050284
特開平3-160684
特開昭60-000694

前のページに戻る