特許

J-GLOBAL ID：200903053624951796

薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： 池谷 剛
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114330
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316507
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 光電変換効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。【構成】 導電性基板上に、p型半導体による吸収層、n型半導体層及び窓層が、この順に積層されてなる薄膜太陽電池において、上記n型半導体層が、異種のn型半導体からなる2層のn型半導体層により構成される。

請求項（抜粋）：

導電性基板上に、p型半導体による吸収層、n型半導体層及び窓層が、この順に積層されてなる薄膜太陽電池において、上記n型半導体層が、異種のn型半導体からなる2層のn型半導体層により構成されることを特徴とする薄膜太陽電池。