ポリフェニレンサルファイド支持体上に銅をめっきする方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：湯浅恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294485
公開番号（公開出願番号）：特開平6-212405
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ポリフェニレンサルファイド支持体上に銅をめっきする方法を提供する。【構成】ポリフェニレンサルファイド支持体を、真空下にてRFアルゴンプラズマでエッチングする。真空を破ることなく、エッチングされた表面にチタンの層をスパッタリングし、そしてチタンによりスパッタリングされた表面に第1の銅層をスパッタリングする。スパッタリング手順の後、支持体に第2の銅層を所望の厚さに電気めっきする。4.5〜5.5ポンド/インチの剥離強さが得られる。本発明の方法は、EMIシールド用やプリント回路基板用の製品を造るのに有用である。

請求項（抜粋）：

ポリフェニレンサルファイド支持体上に銅をめっきする方法であって、(a) 真空中にて、前記支持体の表面をRFアルゴンプラズマでエッチングする工程;(b) 真空を破ることなく、エッチングされた前記支持体表面上にチタンの層を接着促進用中間層としてスパッタリングし、そして前記チタン中間層上に第1の銅層をスパッタリングする工程;及び(c) 前記第1の銅層上に第2の銅層を所望の厚さに電気めっきする工程;を含む前記方法。

IPC (2件)：

C23C 14/20 , C23C 30/00

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-257840
特開平1-294875
特開平3-188696

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