特許
J-GLOBAL ID：200903053626196413
反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-284410
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103512
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】マスクのパターン形成面のフラットネスに起因するパターン転写時の位置ずれを防止することができる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】主表面が精密研磨された基板上に多層反射膜と吸収体膜とを成膜することによりマスクブランクを得る工程と、マスクブランクの両主表面の所定領域内における表面形態情報を取得する工程と、マスクブランクをマスクステージにセットしたときにおけるマスクパターン形成面の表面形態情報を得る工程とを有する。また、得られたマスクパターン形成面の表面形態情報に基づき、半導体基板上にパターン転写する際のマスクパターン形成面の表面形態に起因する位置ずれ量を算出し、マスクブランクの吸収体膜をパターニングするためのマスクパターンを描画する工程において前記位置ずれ量を補正しながらマスクパターンを描画する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、
前記基板上に少なくとも、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する転写パターン用の吸収体膜とを成膜することにより、反射型マスクブランクを得る工程と、
前記基板及び/又は前記反射型マスクブランクの所定領域内における両主表面の基板表面形態情報及び/又はマスクブランク表面形態情報を取得する工程と、
前記基板表面形態情報及び/又は前記マスクブランク表面形態情報と、露光装置の前記反射型マスクブランクによって作製される反射型マスクがセットされるマスクステージの該マスクステージ表面形状情報とに基づき、前記反射型マスクブランクを用いて作製される反射型マスクを前記マスクステージにセットした転写パターン形成面の基板表面形態情報及び/又はマスクブランク表面形態情報を得る工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/16
H01L21/30 531M
, H01L21/30 516A
, H01L21/30 517
, G03F7/20 521
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB02
, 2H095BB06
, 2H095BB33
, 2H095BC09
, 2H095BC26
, 5F046AA25
, 5F046BA05
, 5F046CB17
, 5F046CC02
, 5F046CC09
, 5F046DA05
, 5F046DA13
, 5F046DD03
, 5F046GA03
, 5F046GA12
, 5F046GA14
, 5F046GD02
, 5F046GD10
