絶縁ゲイト型電界効果半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237897
出願日： 1990年07月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲイト型半導体装置を高密度に集積化する。【解決手段】 MIS FET(10),(10') は、縦チャネル型であり、ソ-ス、ドレイン(4),(4'),(5),(5') はLDD 領域(15),(15')有し、かつ凹状領域(35)の上方および基板上面の横表面を外部とのコンタクト部である。LDD 構造を用いることにより、ソ-ス、ドレインに対する電極( 9),(9') の形成が容易となって、かつチャネル(6),(6')長を0.1 〜1μm と小さく、精密にその長さを制御できる。更に、LDD 構造により、矩形または三角形状のゲイト電極(18),(18')の製造にマージンを持たせている。また、ゲイト電極(18),(18')を凹状の領域(35)に隣接して機械強度を大きくする。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板と、前記半導体基板上面に形成された溝部と、前記溝部の側面にゲイト絶縁膜を介して接するゲイト電極と、前記半導体基板上面に形成され、前記溝部の側面と接する一導電型を示す一対の第1の不純物領域と、前記溝部の底面に設けられた前記一導電型を有する第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間に形成された一対のチャネル領域と、を有することを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/10 671 A , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 V

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