特許
J-GLOBAL ID：200903053632893509
バイアホール及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330822
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193214
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 基板表面から高アスペクト比の貫通穴の内壁の全域にかけて、厚みの大きい低抵抗金属層が高い密着性でもって密着したバイアホール及びその形成方法を得る。【構成】 基板1の凹状穴1aの内面を含む表面全域に、該凹状穴1aの内面に対して高い密着性を有し、かつ、給電層機能を有するスパッタ層8を形成した後、該スパッタ層8を触媒として、上記スパッタ層表面及び上記凹状穴の内面の上記スパッタ層が形成されていない部分に、これらスパッタ層表面及び凹状穴の内面に対して高い密着性が得られる無電解Ni系合金メッキ層7を形成し、上記スパッタ属8と上記無電解Ni合金メッキ層7を給電層として、電解Auメッキ層9を形成し、この後、基板裏面の研磨及び裏面配線11の形成を行う。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板に形成された穴と、上記基板表面及び上記穴の内面に形成されたスパッタ金属層と、上記スパッタ金属層表面及び上記穴の内面に形成された無電解メッキ層と、上記無電解メッキ層表面に形成された電解メッキ層とを有してなることを特徴とするバイアホール。
IPC (5件)：
H01L 29/41
, C23C 18/52
, C23C 28/02
, C25D 3/48
, H01L 29/80
H01L 29/44 B
, H01L 29/80 V
