特許

J-GLOBAL ID：200903053642217110

半導体装置の製造方法

発明者： 小野沢 和徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326544
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 2層ポリシリコン電極を有するバイポーラ・トランジスタにおいて、電流増幅率hFEの安定化および、製造プロセス簡略化を図る。【構成】 2層ポリシリコンないしポリサイド電極を有するバイポーラ・トランジスタにおいて、ベース電極の側壁絶縁膜をマスクとして斜め方向に不純物を半導体表面にイオン打込みすることにより、外部ベースへ接続するつなぎベースと真性ベース拡散層とを同時に形成する。【効果】 つなぎベースと同時に真性ベースを形成し、ドライエッチングによりシリコン面を削る工程を経ることなく、エミツタを形成するために、ベース濃度のばらつきが少なく、また、つなぎベース形成専用の製造工程も省略できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主表面に多結晶半導体からなる第1電極からの不純物により外部第1拡散層を形成し、上記第1電極の側壁に形成した酸化膜をマスクに斜め方向の不純物イオン打込みをすることにより、上記基板表面に真性第2拡散層と前記外部第1拡散層へのつなぎ拡散層とを同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 V ,  H01L 27/06 321 B