特許

J-GLOBAL ID：200903053643131678

静電吸着電極のクリーニング方法および装置

発明者： 池田 剛敏 ,  勝田 浩誠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077463
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267406
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 静電吸着電極の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージを与えることなしに除去できる静電吸着電極のクリーニング方法および装置を提供する。【解決手段】 チャンバ7とマイクロ波4を導入するマイクロ波導入窓40とにより構成されるエッチング室12を静電吸着電極36の上方に設け、また、静電吸着電極36の上方でプロセスガス10をエッチング室12に導入するプロセスガス導入孔41をチャンバ7に設ける。エッチング室12を取り囲むように3段に分かれてソレノイドコイル35a,35b,35cを設ける。プラズマエッチング処理中に発生し、静電吸着電極36に付着した反応生成物22の堆積量分布と、クリーニング用のプロセスガスのプラズマにより反応生成物22を除去するときの除去速度分布とが相殺されるようにして反応生成物22を除去する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波による電界とソレノイドコイルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら行うプラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着電極のクリーニング方法であって、上記プラズマエッチング処理中に発生し、上記静電吸着電極に付着した反応生成物の堆積量分布と、クリーニング用のプロセスガスのプラズマにより上記反応生成物を除去するときの除去速度分布とが相殺されるようにして上記反応生成物を除去することを特徴とする静電吸着電極のクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/511

FI (5件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/302 N

Fターム (33件)：

4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  5F004AA15 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA24 ,  5F045AA08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AE15 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045EH16 ,  5F045EM05