特許
J-GLOBAL ID：200903053644752030
表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172479
公開番号（公開出願番号）：特開平6-146024
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【構成】 内部が減圧される気密容器と、この気密容器の内部に設けられた加熱手段と、この加熱手段で加熱される被処理体を上記内部において保持する保持手段と、上記加熱手段と上記支持された状態の被処理体との間に位置し、上記加熱手段からの輻射熱の通過と遮蔽とが自在になる中間体と、上記被処理加熱体の温度を検知して上記中間体の遮蔽動作を制御するとともに設定温度に基いて上記加熱手段の温度制御を行う制御部とを備えたことを特徴とする表面処理装置。【効果】 ルーバのような中間体の遮熱作用により、高速加熱時に起こる被処理体への過熱現象が防止され、半導体装置の損傷、劣化による不良品の発生を防止することができた。
請求項（抜粋）：
内部が減圧される気密容器と、この気密容器の内部に設けられた加熱手段と、この加熱手段で加熱される被処理体を上記内部において保持する保持手段と、上記加熱手段と上記保持された状態の被処理体との間に位置し、上記加熱手段からの輻射熱の通過と遮蔽とが自在になる中間体と、上記被処理体の温度を検知して上記中間体の遮蔽動作を制御するとともに設定温度に基いて上記加熱手段の温度制御を行う制御部とを備えたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件)：
C23F 4/00
, C23C 14/32
, H01L 21/203
, H01L 21/302
