特許

J-GLOBAL ID：200903053647172450

非蒸発型ゲッタの配置方法

発明者： 亀山 誠 ,  石倉 淳理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260357
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 排気能力の高い非蒸発型ゲッタを様々な形状で、ガス放出源に近い位置にかつ、簡単に配置できる方法を提供する。【解決手段】 超微粒子供給室内の超微粒子を搬送管を介してガスと共に膜形成室に導入し、膜形成室内で搬送管の先端に取り付けられたノズルから超微粒子をガスと共に高速で噴射し、基板上に第1の超微粒子膜を形成し、金属粉末を基板上に形成された第1の超微粒子膜に圧着した後もしくは圧着しつつ、加熱することで、金属粉末を第1の超微粒子膜上に固着させ、さらにその上に超微粒子供給室内の超微粒子を搬送管を介してガスと共に膜形成室に導入し、膜形成室内で搬送管の先端に取り付けられたノズルから超微粒子をガスと共に高速で噴射し、基板上の第1の超微粒子膜に固着された金属粉末上を第2の超微粒子膜で被覆する。

請求項（抜粋）：

超微粒子供給室内の超微粒子を搬送管を介してガスと共に膜形成室に導入し、該膜形成室内で前記搬送管の先端に取り付けられたノズルから前記超微粒子を前記ガスと共に高速で噴射し、基板上に第1の超微粒子膜を形成し、ジルコニウムまたはチタンを主成分とする金属粉末、もしくはジルコニウムとチタンの双方を含有する金属粉末を、前記基板上に形成された前記第1の超微粒子膜に圧着した後もしくは圧着しつつ、加熱することで、前記金属粉末を前記第1の超微粒子膜上に固着させ、さらにその上に前記超微粒子供給室内の超微粒子を前記搬送管を介してガスと共に前記膜形成室に導入し、前記膜形成室内で前記搬送管の先端に取り付けられたノズルから前記超微粒子を前記ガスと共に高速で噴射し、前記基板上の前記第1の超微粒子膜に固着された前記金属粉末上をジルコニウムまたはチタンもしくはジルコニウムとチタンの双方を含有する第2の超微粒子膜で被覆したことを特徴とする非蒸発型ゲッタの配置方法。

IPC (4件)：

H01J 29/94 ,  H01J 7/18 ,  H01J 9/39 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 29/94 ,  H01J 7/18 ,  H01J 9/39 A ,  H01J 31/12 C

Fターム (11件)：

5C012AA05 ,  5C032AA01 ,  5C032JJ08 ,  5C032JJ11 ,  5C035JJ07 ,  5C035JJ10 ,  5C035JJ11 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG50