特許
J-GLOBAL ID：200903053650229195
変換基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132346
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330300
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップと実装基板を接続するための変換基板において、半導体チップの電極と同じ位置関係に接続用電極の作成が可能であり、かつ製造コストを大幅に削減し得る変換基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 片面銅張のガラス・エポキシ基板20の第二電極12が形成される位置にガラス・エポキシ樹脂側から樹脂層のみを貫通するスルーホール18を穿設して全面に銅メッキを施した後、銅メッキ膜の半導体チップ2の電極に対向する箇所に第1電極11、メッキ・スルーホール19の上面部に中間電極13、それらの間に配線14、またメッキ・スルーホール19の下面部に第二電極12をリソグラフィによって作成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの複数の電極と、前記半導体チップの電極のピッチとは異なるピッチで形成される実装基板の複数の電極とを接続するために介在させる絶縁基板であり、前記絶縁基板の前記半導体チップ側となる面に前記半導体チップの電極に対応して作成される複数の第一電極を有し、前記実装基板側となる面に前記第一電極のそれぞれに導通し前記実装基板の複数の電極に対応して作成される複数の第二電極を有する変換基板において、前記第一電極は前記半導体チップの電極と同じ位置関係に作成され、前記第一電極と前記第二電極とは、前記第一電極と、前記絶縁基板の前記半導体チップ側となる面において前記第二電極の上方となる位置に作成される中間電極とを結ぶ配線と、前記中間電極から前記絶縁基板のみを貫通して前記第二電極に至る金属化スルーホールとによって導通されており、前記第一電極と前記配線と前記中間電極とは前記絶縁基板の前記半導体チップ側となる面にパターン状の金属薄膜として作成され、前記第二電極は前記絶縁基板の前記実装基板側となる面にパターン状の金属厚膜として作成され、前記金属化スルーホールは前記絶縁基板にあらかじめ穿設されたスルーホールの内面に前記金属薄膜が形成されたれたものであることを特徴とする変換基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01R 23/68 303
H01L 23/12 L
, H01R 23/68 303 E
