特許
J-GLOBAL ID：200903053655073274
チップ型半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125408
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112468
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 従来は、チップ型部品の外形の大きさを半導体素子の大きさに近付けることは非常に困難であり、また、半導体素子を親基板に搭載する速度が遅く、著しい生産性向上が望めない。【解決手段】 半導体ウェハ1の表面に形成された多数の半導体素子2の電極の上にメタルバンプを形成した後、電極パターンが印刷された絶縁性基板5の表面に貼り合わせ、半導体素子2のメタルバンプと絶縁性基板5の電極パターンを接合する。絶縁性基板5は半導体ウェハ1と同じ大きさ、形状をしている。次に、半導体ウェハ1のみを半導体素子2’の大きさに切断区分する。次に、ダイシング溝9で区分された半導体素子2’を被うように封止用の液状の樹脂10を流し込んで樹脂10を硬化させた後、樹脂10を絶縁性基板5と共に個々の部品に分離するように切断する。
請求項（抜粋）：
表面の既知の位置に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの該半導体素子の電極にメタルバンプを形成する第1の工程と、表面の既知の位置に電極パターンが形成された絶縁性基板の該電極パターン側と前記半導体ウェハの半導体素子形成面側とを貼り合わせて、該電極パターンと前記メタルバンプとを接合する第2の工程と、前記第2の工程により貼り合わされた前記半導体ウェハ及び絶縁性基板のうち、該半導体ウェハのみを前記半導体素子個々の大きさに切断区分する第3の工程と、前記半導体ウェハを切断区分する溝と前記半導体ウェハ上に液状樹脂を流し込んで硬化させる第4の工程と、硬化した前記樹脂と前記絶縁性基板を同時に切断し、それぞれ前記半導体素子を有する個々の半導体装置に分離する第5の工程とを含むことを特徴とするチップ型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/56 R
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 L
