特許
J-GLOBAL ID：200903053656115337
単電子トンネル論理素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307453
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 入力変動に対する安定出力を得ること。【構成】 それぞれ単電子トンネル接合を有するインピーダンス素子1,2を直列接続したチャネル形成回路を有する。各インピーダンス素子1,2のトンネル抵抗をR<SB>1 </SB>,R<SB>2 </SB>、接合キャパシタをC<SB>1 </SB>,C<SB>2 </SB>としたとき、R<SB>1 </SB>>R<SB>2 </SB>,C<SB>1</SB>≧C<SB>2 </SB>、又はR<SB>1 </SB><R<SB>2 </SB>,C<SB>1 </SB>≦C<SB>2 </SB>を満たすようにする。これにより、アイランド部4への蓄積電荷が入力電圧に対し、eのほぼ整数倍に量子化され、電流電圧特性がクーロン・ステアケイスを示し、方形波状のクーロン振動特性が得られ、一定の入力電圧幅に対し一定の出力電流値が得られるようになり、各入力論理レベルに対応する電圧値のマージンを広げることが可能となる。【効果】 入力変動に対して安定した出力が得られる。
請求項（抜粋）：
第1、第2の単電子トンネル接合が直列に接続されてなり、その両端にバイアス電圧が印加された二重トンネル接合部と、前記第1、第2の単電子トンネル接合の共通接続部に対して容量素子を介して接続された信号入力部とを備え、前記共通接続部に蓄えられる電荷が、前記バイアス電圧に対し、素電荷の整数倍単位で近似的に量子化されていることを特徴とする単電子トンネル論理素子。
IPC (2件)：
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