特許

J-GLOBAL ID：200903053656525110

発光デバイスのための電極構造

発明者： ダニエル・エイ・ステイジャーワルド ,  サージ・エル・ラダス ,  スティーブン・ディー・レスター ,  ポール・エス・マーティン ,  ウィリアム・アール・イムラー ,  ロバート・エム・フレッチャー ,  フレッド・エイ・キッシュ,ジュニア ,  スティーブン・エイ・マラノウスキー
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164930
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 所与の平均電流密度及び所与のデバイス断面積について発光領域における平均光強度を増大させることが可能な改善された電極構造を有する発光デバイスを提供すること。【解決手段】 p形層及びn形層を有するヘテロ接合を備えた発光デバイス。n電極がn形層に電気的に接続され、p電極がp形層に電気的に接続される。該p電極及びn電極は、均一な光強度を有する領域を形成するよう配置される。

請求項（抜粋）：

発光デバイスであって、デバイス構造体と、p形半導体層及びn形半導体層を含む前記デバイス構造内のヘテロ接合(12)と、一方が前記p形半導体層に電気的に接続され、他方が前記n形半導体層に電気的に接続された、2つの電極(14a、14b)とを備えており、任意の点における前記電極の内側輪郭間の最短距離が、該電極間の距離の平均の+35%〜+150%内で変動し、前記2つの電極のうちの少なくとも一方の長さが、該発光デバイスの1つの側部の長さの65%以上であり、少なくとも1つの領域の光の均一性に関する光強度比が、30A/cm2以上の平均電流密度において3.0未満であり、該光の均一性に関する光強度比が、最大局所光強度Imaxと平均光強度Iaveとの比として規定されるものである、発光デバイス。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平3-268360