特許

J-GLOBAL ID：200903053661639662

薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置

発明者： 山口 彩子 ,  浦岡 行治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310609
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154813
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 2種類の異なる不純物を、シリコン薄膜に注入し、熱処理工程において分子量の小さい不純物のみを拡散させることにより、工程数を増加させることなく、自己整合的にLDD構造を作製することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 非結晶シリコン薄膜12をガラス基板10上に堆積する工程と、非結晶シリコン薄膜12をレーザーにより結晶化させる工程と、結晶化されたシリコン薄膜13上にゲート絶縁膜14を堆積する工程と、前記ゲート絶縁膜14上にゲート電極15を堆積、パターニングする工程と、ゲート絶縁膜14と前記ゲート電極15を通して2種類の異なる不純物をシリコン薄膜13に注入する工程と、前記不純物の注入後シリコン薄膜13を熱処理する工程とからなり、前記熱処理工程においてLDD領域13bを形成する。

請求項（抜粋）：

非結晶のシリコン薄膜をガラス基板上に堆積するシリコン薄膜の堆積工程と、前記非結晶のシリコン薄膜をレーザーにより結晶化させる結晶化工程と、前記シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を堆積するゲート絶縁膜の堆積工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を堆積、パターニングするゲート電極の堆積およびパターニング工程と、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極を通して2種類の異なる不純物を前記シリコン薄膜に注入する不純物注入工程と、前記不純物の注入後前記シリコン薄膜を熱処理する熱処理工程とを備え、前記熱処理工程において前記シリコン薄膜のソース領域とチャネル領域との間およびドレイン領域とチャネル領域との間に、低濃度不純物注入領域(LDD領域)を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00

FI (5件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 B