特許

J-GLOBAL ID：200903053662797067

結晶性半導体膜の形成方法

発明者： 三谷 康弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157781
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007945
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 レーザ結晶化の効率が高く、かつ汚染されることもなく、表面に荒れのない結晶化の進んだ結晶性半導体膜を形成する。【構成】 絶縁性基板1の一方の主面上に、下地膜2、半導体膜、保護膜4を順次形成し、絶縁性基板1の他方の主面側から半導体膜にレーザ光を照射して半導体膜を結晶化させる形成方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一方の主面上に、下地膜、半導体膜、保護膜を順次形成し、該絶縁性基板の他方の主面側から上記半導体膜にレーザ光を照射して該半導体膜を結晶化させることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G