特許
J-GLOBAL ID：200903053664701610
青色発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238553
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094784
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 電極位置などの構造上の制限の受けず、しかも、高効率の発光が可能なGaN系青色発光素子を提供することである。【構成】 GaNを基板3とし該基板上に複数のGaN系化合物半導体が積層されて積層体が形成され、この積層体の両最外層の各々に電極1,2が設けられてなる青色発光素子Aであって、該複数のGaN系化合物半導体が、p-n接合される層4,6を含むものや、1重または2重ヘテロ接合構造、1つまたは多重の量子井戸構造を含むもの等が例示される。
請求項（抜粋）：
GaNを基板とし該基板上に複数のGaN系化合物半導体からなる積層体が形成され、この積層体の両最外層の各々に電極が設けられてなる青色発光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
