特許

J-GLOBAL ID：200903053669532247

半導体装置の製造方法

発明者： 西野 友規
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150090
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップそのものの厚みを半導体ウエハの大きさによらず薄くさせながら、製造工程における半導体チップの取り扱い作業性を向上させ、かつ、小型、薄型の半導体装置が得られる製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂膜3を保護強化板としながら半導体ウエハ1を薄くし、かつ、半導体チップ2上の樹脂膜3から突起電極5を突出させて外部接続端子とし、樹脂膜3の大きさを半導体チップ2と同一になるように切断する。【効果】 高信頼性で取り扱い容易な、小型、薄型の半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数の半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子の電極に接続された突起電極群を形成する工程と、前記突起電極群の先端部を露出して、前記半導体基板上に樹脂膜を形成する工程と、前記半導体基板を半導体素子単位に分割して個々の半導体装置を得る工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

FI (8件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 A ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-136049
  
• 特開平3-101128
  
• 特開昭54-045570