特許
J-GLOBAL ID：200903053669796937
反射型スイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241829
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097799
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 信号を通過させる主線路の一点にFETを接続し、FETをオン/オフさせることでしゃ断/通過の状態をつくる反射型スイッチにおいてしゃ断量を大きくする。【構成】 主線路とFETとFETのドレイン-ソース間を接続するインダクタとバイアホールとFETのソースとバイアホールを接続するキャパシタと主線路に接続されたインダクタとインダクタに接続されたバイアホールから構成される。【効果】 バイアホールのもつ誘導成分と半導体基板上に設けたキャパシタとを共振させることでFETがオンの時の接地回路のインピーダンスを下げ、スイッチとしてのしゃ断量を大きくする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に構成された一体型マイクロ波集積回路において、信号である高周波を通す主線路と、主線路にドレインが接続されたFETと、上記FETのドレインに一端が接続され、かつ他端が上記FETのソースと接続され、上記FETのもつ容量成分との合成インピーダンスが使用周波数において極大値を持つようなインダクタと、一端が上記FETのソースに接続され、かつ他端が半導体基板に設けられたバイアホールを介して接地され、かつ前記バイアホールの誘導成分との合成インピーダンスが使用周波数において極小となるような容量値をもった半導体基板上に設けられた薄膜キャパシタとで構成され、上記FETのゲート電圧を変化させることでオン/オフさせるようにしたことを特徴とする反射型スイッチ。
引用特許：
前のページに戻る
