特許

J-GLOBAL ID：200903053673710168

亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法

発明者： 松村 英樹
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264794
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 低温処理により高移動度の金属酸化物半導体の薄膜トランジスタと、pn接合を形成した金属酸化物薄膜半導体装置及びその安価な製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板21にAl等のゲート電極22を形成しSi酸化膜か窒化膜のゲート絶縁膜23を堆積した上に、銅等の金属膜24,24′を堆積しパターニングしてソース・ドレイン電極を形成する。次にSiNの絶縁膜26を全体に堆積し、ガラス基板の裏面から露光し、ゲート電極パターンをマスクとして絶縁膜26に開孔し、TFTのチャネル部とゲート電極22を自己整合させる。次いで200〜400°Cの低温で熱酸化やプラズマ酸化等により、金属膜24の露出した一部領域は酸化して金属酸化物半導体25に変わる。全体を絶縁膜27で被覆し電極取出し部に開孔する。また酸素過剰による欠陥は水素やLi,Na等の導入でキャリア密度及び導電型を制御できる。

請求項（抜粋）：

基板上に,形成した金属薄膜を酸化処理することにより半導体化した金属酸化物半導体とを備えることを特徴とする金属酸化物半導体による薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/72