特許
J-GLOBAL ID：200903053680441202
磁気バブル素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-176894
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028750
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は磁気バブル素子の製造方法に関し、その目的は、転送素子のエッチングをイオンミリングで行うのにあたって同時にボンディングパッドがエッチングされるのを防ぎ、ワイヤボンディング性を向上させることにある。【構成】 MR素子の上に形成された電極層の上に段差軽減層を介して転送素子層を形成し、該転送素子層をイオンミリングで選択的にエッチングする磁気バブル素子の製造方法において、第1の発明は、前記電極層の一部のボンディングパッド部分にイオンミリングに対する保護膜を形成し、該保護膜は前記転送素子層のイオンミリングによるエッチング後に除去することを特徴とし、第2の発明は、前記電極層の一部のボンディングパッド部分にイオンミリングに対する保護膜を形成し、前記転送素子層のイオンミリングによるエッチング後に前記保護膜の上にボンディングパッドと同一形状の導体層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
MR素子の上に形成された電極層の上に段差軽減層を介して転送素子層を形成し、該転送素子層をイオンミリングで選択的にエッチングする磁気バブル素子の製造方法において、前記電極層の一部のボンディングパッド部分にイオンミリングに対する保護膜を形成し、該保護膜は前記転送素子層のイオンミリングによるエッチング後に除去することを特徴とする磁気バブル素子の製造方法。
IPC (2件)：
G11C 11/14 302
, G11C 11/14
