特許
J-GLOBAL ID:200903053683597920

高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-243812
公開番号(公開出願番号):特開平7-073961
出願日: 1993年09月02日
公開日(公表日): 1995年03月17日
要約:
【要約】【目的】 装置の小型化とコストダウンが図れると共に、使用の変更に容易に対応し得る、高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置を提供する。【構成】 インバータ回路のフルブリッジに接続されたFETを駆動回路によってオン・オフさせて、高周波電流を得る高周波トランジスタインバータ装置において、駆動回路が、その一次側コイルが発振回路に接続された入力側のトランスと、このトランスの2つの二次側コイルに接続された一対のトランジスタと、このトランジスタの出力側に、その一次側コイルが接続され、2つの二次側コイルが、FETの2個に接続された出力側のトランスとを具備し、駆動回路を、1枚の基板上に2組配置すると共に、駆動回路のトランジスタを、基板外に設けた電源トランスで駆動させる。
請求項(抜粋):
インバータ回路のフルブリッジに接続されたFETを駆動回路によってオン・オフさせて、高周波電流を得る高周波トランジスタインバータ装置において、前記駆動回路が、その一次側コイルが発振回路に接続された入力側のトランスと、該トランスの2つの二次側コイルに接続された一対のトランジスタと、該トランジスタの出力側に、その一時側コイルが接続され、2つの二次側コイルが、前記FETの2個に接続された出力側のトランスとを具備し、前記駆動回路を、1枚の基板上に2組配置すると共に、該駆動回路のトランジスタを、基板外に設けた電源トランスで駆動させることを特徴とする高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置。

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