特許
J-GLOBAL ID:200903053685131767

銅ポリイミド基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-313842
公開番号(公開出願番号):特開平5-129377
出願日: 1991年10月31日
公開日(公表日): 1993年05月25日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 ポリイミド樹脂フィルム上に下地金属層としてニッケル等の異種金属による中間層を形成させた銅ポリイミド基板を製造するに際し、得られた基板を高温高湿下に長時間曝しても銅とポリイミドの密着強度の低下をきたすことがなく、また該基板を利用して配線板を作成した場合に中間金属層の除去に特別なエッチング工程を採用することなくして、配線部の形成が可能であるようにする。【構成】 ポリイミド樹脂フィルム表面の親水化処理を、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩のうちの何れか一種を含む水溶液を用いて行ない、表面にニッケル、コバルトまたはこれらの合金の何れか一種よりなる無電解めっき皮膜を0.01〜0.1μmの厚みで、不純物含有量が10重量%以下であるようにして施し、該基板における最高到達温度が350〜540°Cの温度範囲であって、且つ熱負荷係数Dが0.3〜3.5の範囲内になるようにして不活性雰囲気中での熱処理を施す。
請求項(抜粋):
ポリイミド樹脂フィルムの表面を親水化し、触媒を付与し、無電解めっきを施し、不活性雰囲気中で熱処理を施し、その後無電解銅めっき、もしくは無電解銅めっきに引き続き電解銅めっきを行なうことにより銅ポリイミド基板を製造するに際し、ポリイミド樹脂フィルム表面の親水化処理を、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩のうちの何れか一種を含む水溶液を用いて行ない、触媒付与後、該表面にニッケル、コバルトまたはこれら金属の合金のうちの何れか一種よりなる無電解めっき皮膜を0.01〜0.1μmの厚みで、皮膜中の不純物含有量が10重量%以下であるようにして施し、得られた基板を該基板における最高到達温度が350〜540°Cの温度範囲であって、且つ下記数式1により求められる熱負荷係数Dが0.3〜3.5の範囲内になるようにして不活性雰囲気中での熱処理を施すことを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。【数1】但し、tiは任意の時間であり、Tiは任意の時間における基板自体の温度を示す。
IPC (6件):
H01L 21/60 311 ,  B32B 15/08 ,  C23C 18/52 ,  C25D 7/00 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/00

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