特許

J-GLOBAL ID：200903053689444395

プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法

発明者： 久保田 紳治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152278
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022397
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 均一なプラズマを形成することができ、プラズマ密度の制御、イオン加速の制御を独立に行うことができ、共通の装置をもって各種プラズマ処理とチャンバー内のクリーニング・モードを大気開放をすることなく行うことができるようにする。【構成】 平行平板型構成を採り、この平行平板型構成による被処理体1の載置台2とこれに対向する対向電極3すなわち陽極との間に低周波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段4と、チャンバー5の内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイクロイド運動させながらチャンバー5の内壁面に沿ってリング状に回転させ、チャンバー5の内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段6とを有してなる。

請求項（抜粋）：

平行平板型構成を採り、該平行平板型構成による被処理体の載置台と、これに対向する対向電極との間に低周波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段と、チャンバーの内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイクロイド運動させながら上記チャンバーの内壁面に沿ってリング状に回転させ、上記チャンバーの内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 層の構造化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-306400   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平2-224239
  
• ドライエツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266053   出願人：シヤープ株式会社