特許

J-GLOBAL ID：200903053690282064

電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ

発明者： ▲吉▼永 和夫 ,  西田 俊一郎 ,  平岡 敬子 ,  長尾 弥生 ,  小林 秀樹 ,  正富 亨
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145099
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069117
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 光散乱やブリードがなく、低表面エネルギーと優れた機械的及び電気的耐久性を達成した高解像な電子写真感光体、該感光体を有する電子写真装置及びプロセスカートリッジを提供する。【解決手段】 表面層が、下記平均単位式(I)で示されるフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有する電子写真感光体、該感光体を有する電子写真装置及びプロセスカートリッジ。 {F(CF2)a1-Q1 -R1m1 SiO(3-m1)/2}x1{F(CF2)a2-Q2 -R2m2 SiO(3-m2)/2}x2・・・{F(CF2)ap-Qp -Rpmp SiO(3-mp)/2}xp{R'1n1SiO(4-n1)/2}y1{R'2n2SiO(4-n2)/2}y2・・・{R'qnqSiO(4-nq)/2}yq (I)(式中、R1 ,...,Rp ,R'1,...,R'qはアルキル基またはアリール基であり、Q1 ,...,Qp はアルキレン基である。)

請求項（抜粋）：

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光体の表面層が、下記平均単位式(I)で示されるフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。{F(CF2)a1-Q1 -R1m1 SiO(3-m1)/2}x1{F(CF2)a2-Q2 -R2m2 SiO(3-m2)/2}x2・・・{F(CF2)ap-Qp -Rpmp SiO(3-mp)/2}xp{R'1n1SiO(4-n1)/2}y1{R'2n2SiO(4-n2)/2}y2・・・{R'qnqSiO(4-nq)/2}yq (I)(式中、R1 ,...,Rp ,R'1,...,R'qはアルキル基またはアリール基であり、Q1 ,...,Qp はアルキレン基である。m1 ,...,mp は0〜2の整数であり、n1 ,...,nq は0〜3の整数であり、a1 ,...,ap は整数であり、x1 及びy1 は0を越える数であり、x2 ,...,xp 、y2 ,...,yq は0以上の数である。)

IPC (2件)：

G03G 5/147 502 ,  G03G 5/05 101

FI (2件)：

G03G 5/147 502 ,  G03G 5/05 101

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-150857
  
• 特開平4-273252
  
• 特開平3-200154
  
• 特開平1-217364