特許

J-GLOBAL ID：200903053698599806

2次元配列メモリを用いたセル遅延揺らぎ吸収装置

発明者： 宮越 健 ,  樋口 信一 ,  青木 正夫 ,  浜越 玲臣
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-013432
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 ディジタル通信システムに使用されるATM伝送機器に備えられるセル遅延揺らぎ吸収機能において、バッファに対する書き込み及び読み出しアドレスの計算を簡素化し、回路及びソフトウェア規模を縮小し削減することを目的とする。【解決手段】 バッファメモリ手段に2次元配列メモリ手段101を用いることで、書き込み及び読み出しのアドレス生成を行アドレス生成手段104,106と列アドレス生成手段105,107に分割する。行アドレスと列アドレスを個別に制御し、列アドレスは有効データ範囲を示し、行アドレスは揺らぎ吸収の動的制御を行うことによって、時分割多重化で帯域制限や複数チャネルが束ねられたユーザーデータをセル分解及びユーザーフレームの組立までを1つのバッファメモリで処理可能なセル遅延揺らぎ吸収機能が得られる。

請求項（抜粋）：

メモリ素子が2次元に配置された2次元メモリを備えるとともに、書き込み側の行アドレスを生成する手段と列アドレスを生成する手段及び読み出し側の行アドレスを生成する手段と列アドレスを生成する手段をそれぞれ個別に備え、読み出し側の列アドレス桁上げ信号を用いて行アドレスの生成を行うことを特徴とするセル遅延揺らぎ吸収装置。

IPC (3件)：

H04L 12/28 ,  H04L 13/08 ,  H04Q 3/00

FI (3件)：

H04L 11/20 E ,  H04L 13/08 ,  H04Q 3/00