特許

J-GLOBAL ID：200903053702231312

半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者： 田中 丈士 ,  守谷 美彦 ,  佐原 雅恵
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121602
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277655
出願日： 2007年05月02日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】リーク電流及び電子トラッピング現象を同時に抑制できる半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】基板(1)上に形成された核生成層(2)と、核生成層(2)上に形成された第一の窒化物半導体層(3)と、第一の窒化物半導体層(3)上に形成され、かつ第一の窒化物半導体層(3)よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層(4)と、を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、第一の窒化物半導体層(3)中のシリコン濃度が、1×1014cm-3から5×1016cm-3の範囲にある。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成された核生成層と、 前記核生成層上に形成された第一の窒化物半導体層と、 前記第一の窒化物半導体層上に形成され、かつ前記第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層と、 を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、 前記第一の窒化物半導体層中のシリコン濃度が、1×1014cm-3から5×1016cm-3の範囲にあることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (25件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA60 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 気相成長装置およびIII族窒化物半導体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-198875   出願人：古河機械金属株式会社
• トラッピング(trapping)を低減させたIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)およびトランジスタの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-557092   出願人：クリーインコーポレイテッド, ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-332284   出願人：富士通株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225077   出願人：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-512346   出願人：レイセオン・カンパニー