特許
J-GLOBAL ID：200903053703419250
II-VI族化合物半導体及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134100
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326138
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】高いネットアクセプター濃度(Na-Nd)を有するp型のII-VI族化合物半導体、及びその形成方法を提供する。【構成】本発明のII-VI族化合物半導体は、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成る。II-VI族化合物半導体の形成方法は、基板上に、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るp型II-VI族化合物半導体層を分子線エピタキシー法にて形成する。
請求項（抜粋）：
I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るII-VI族化合物半導体。
IPC (4件)：
H01L 21/363
, C30B 23/08
, C30B 29/48
, H01S 3/18
