特許

J-GLOBAL ID：200903053704089483

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 宇野沢 浩精
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086342
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259570
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 GaAsの(100)器盤上に作製するAlGaIn P系半導体レーザにおいて、結晶成長の際に発生するヒロック密度を少なくし、素子の収量を増加させるとともに、信頼性を改善する。【構成】 n-GaAsの(100)基板1上に構成するダブルヘテロ構造において、有機金属気相成長法により、n形の(Aly Ga(1-y) )0.5 In0.5Pクラッド層3および活性層4を成長させる。この成長は、GaAs基板に格子整合するGaIn Pの禁止帯幅が極小となる温度以上で、結晶成長速度が1〜2.5μm/hの成長条件下で行う。P形の(Aly Ga(1-y) )0.5 In0.5Pクラッド層5は、GaIn Pの禁止帯幅が極小となる温度で、成長速度が2.5μm/h以上で行う。

請求項（抜粋）：

n形のGaAs(100)基板と、前記GaAs(100)基板上に形成されn形の(Aly Ga(1-y) )0.5 In0.5 P(0.5≦y≦1)構造を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され発光領域となる(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5P(0≦x≦0.3)の構造を有する活性層と、前記活性層上に形成されP形の(Aly Ga(1-y) )0.5 In0.5Pの構造を有する第2のクラッド層とから成り、ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-227088
  
• 特開平3-270185