特許
J-GLOBAL ID：200903053710027929
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243277
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板を歩留り良く、かつ精度良く超薄層化した超高周波用FETの製造方法を提供する。【構成】 半導体基板の一方の主面に第一の半導体層と第二の半導体層を積層し形成する工程と、前記半導体基板を他方の主面から前記第一の半導体層までドライエッチングを施し除去する工程と、前記第一の半導体層上に金属層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主面に第一の半導体層と第二の半導体層を積層し形成する工程と、前記半導体基板を他方の主面から前記第一の半導体層までドライエッチングを施し除去する工程と、前記第一の半導体層上に金属層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
