特許

J-GLOBAL ID：200903053722178191

半導体装置の配線方法

発明者： 荒木 昌二郎
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236222
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074731
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 小さなコンタクトサイズでも抵抗増大のない半導体装置の配線方法を提供する。【構成】 シリコン基板に形成した層間膜にコンタクト穴を設け,前記コンタクト穴を介して前記シリコン基板と配線との接続を行う半導体装置の配線方法において,前記コンタクト穴の形成に際しては,前記層間膜をエッチングして穴明けを行って前記基板表面を露出させる工程と,該露出した基板表面を異方性エッチングによりエッチングする工程と,該エッチング穴を等方性エッチングによりエッチングする工程と,該エッチング穴に不純物を注入する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成した層間膜にコンタクト穴を設け,前記コンタクト穴を介して前記シリコン基板と配線との接続を行う半導体装置の配線方法において,前記コンタクト穴の形成に際しては,前記層間膜をエッチングして穴明けを行って前記基板表面を露出させる工程と,該露出した基板表面を異方性エッチングによりエッチングする工程と,該エッチング穴を等方性エッチングによりエッチングする工程と,該エッチング穴に不純物を注入する工程と,を含むことを特徴とする半導体装置の配線方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/90