特許

J-GLOBAL ID：200903053727571380

半導体レーザー加工装置および半導体レーザー加工方法

発明者： 船見 浩司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-239773
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】 非対称なレーザービーム特性を持つ、半導体レーザーアレイスタックからでるレーザービームを、対称的な微小スポットに集光する半導体レーザー加工装置を提供する。【解決手段】 マルチビームサーキュレータ9を用いて、コリメートされたレーザービームを複数個に分割し、かつ、分割された各々のレーザービームを90度回転させた後、集光光学系11で集光することにより、微小スポットに絞る。

請求項（抜粋）：

半導体レーザーアレイを、そのエミッタ配列方向であるスローアクシス方向に対し直交するファーストアクシス方向に積層して形成される半導体レーザーアレイスタックと、各々の半導体レーザーアレイから発振されるレーザービームを、そのファーストアクシス方向成分を概略平行ビームにコリメートするファーストコリメート光学系と、このコリメートされた各々のレーザービームからなるレーザービーム群のファーストアクシス方向のレーザービーム径を縮小すると共にそのレーザービーム拡がり角を大きくする縮小シリンドリカルコリメータ光学系と、前記レーザービーム群のスローアクシス方向のレーザービーム径を拡大すると共にそのレーザービーム拡がり角を小さくする第1拡大シリンドリカルコリメータ光学系と、前記光学系より出射したレーザービームを、スローアクシス方向に分割し、分割された各々のレーザービームを概略90度回転させるマルチビームサーキュレータと、このマルチビームサーキュレータより出射したレーザービームのファーストアクシス方向のレーザービーム径を拡大すると共にそのレーザービーム拡がり角を小さくする第2拡大シリンドリカルコリメータ光学系と、前記第2拡大シリンドリカルコリメータ光学系より出射したレーザービームを集光する集光光学系とを備えたことを特徴とする半導体レーザー加工装置。

IPC (3件)：

B23K 26/06 ,  G02B 27/09 ,  H01S 5/00

FI (4件)：

B23K 26/06 E ,  B23K 26/06 Z ,  H01S 5/00 ,  G02B 27/00 E

Fターム (14件)：

4E068CA01 ,  4E068CA05 ,  4E068CB08 ,  4E068CD02 ,  4E068CD03 ,  4E068CD05 ,  4E068CD08 ,  4E068CD09 ,  4E068CD13 ,  4E068CK01 ,  5F073AB27 ,  5F073BA09 ,  5F073EA18 ,  5F073EA29