特許

J-GLOBAL ID：200903053737830650

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 佐藤 広喜
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330612
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】絶縁性基板の一面上に形成された単位太陽電池の直列接続を、他面上に形成された接続電極層を基板の貫通孔を通じて単位太陽電池の電極層を通じて行うときの接続電極層のシート抵抗および接続抵抗を低減する。【構成】接続電極層の上層部分を抵抗率の低いCuあるいはその合金を用いて作ることにより抵抗を減らし、膜厚も薄くできるため、応力による剥離の発生がなくなって歩留まりが向上する。しかも、Cuは比較的レーザ光の反射率が低いため、加工のためのレーザ出力を低下でき、反対面上の各層の基板透過レーザ光による損傷も少ない。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に第三電極層が設けられ、レーザ加工により分割された第三電極層の一領域が基板に開けられた第一貫通孔を通じて第一電極層、光電変換層および第二電極層よりなる積層体の分割された領域の第一電極層と接続され、また基板、第一電極層および光電変換層に開けられた第二貫通孔を通じて前記積層体領域に隣接する積層体領域の第二電極層と接続される薄膜太陽電池において、第三電極層の最上層部分が銅あるいはその合金よりなることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 Z