特許
J-GLOBAL ID：200903053739492965
半導体単結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277873
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】【目的】 原料結晶棒を溶解し、その液滴をるつぼの上方から融液に供給する連続チャージ法の半導体単結晶製造装置において、融液に前記液滴が落下したときの液跳ねが供給管内壁に付着し、これが供給管の表層とともに剥落して融液面上を浮遊することを防止する。【構成】 図3(a)のように、供給管1の内周に沿って断面がL字形の突起物1bを設ける。突起物1bの下面は、供給管1を融液3に浸漬したとき融液面とほぼ一致する。原料結晶棒の液滴が融液3に落下して生じる液跳ねは、突起物1bの上方の供給管内壁に付着して凝固する。これが剥落しても突起物1bによって受け止められ、融液面には落下しない。従って、融液面が下がって供給管1が融液3から離脱したとき、前記剥落物が単結晶に接触することがなく、単結晶の有転位化を防止する。また図3(b)のように、突起物2bを供給管2の下端に設けてもよい。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶の原料を充填するるつぼと、前記るつぼの周囲に設置され、るつぼ内の原料を溶解するメインヒータと、前記るつぼ内の融液に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを有し、原料溶解ヒータにより原料結晶棒を溶解してその液滴を前記るつぼ内に供給する原料供給機構をるつぼの周縁部上方に備えた半導体単結晶製造装置において、前記原料溶解ヒータを取り囲む円筒状の保護筒の下端に取り付ける供給管の下部内周に、断面がL字形で上方に向かって開口する環状の突起物を設けたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/02
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
