特許

J-GLOBAL ID：200903053742996044

半導体装置の製造方法

発明者： 味沢 治彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109231
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298197
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 表面に段差のある、例えば03 TEOS膜からなる被研磨膜5表面を化学的機械研磨により平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、被研磨膜5の表面の平坦性をより高める。【解決手段】 被研磨膜5として高所部分4bの研磨速度が低所部分4bのそれよりも速くなるようにしたものを形成し、その後、被研磨膜5に対して化学的機械研磨を行う。研磨速度の制御は、被研磨膜5の下地依存性を高めるもの、例えばプラズマ酸化膜7を例えばプラズマ処理9により変質させた改質膜7aを被研磨膜5の形成前に下地として形成しておくか否かにより行う。

請求項（抜粋）：

段差のある膜表面を化学的機械研磨により平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記化学的機械研磨される被研磨膜として表面高さの高い高所部分の研磨速度が表面高さの低い低所部分のそれよりも大きくなるようにしたものを形成し、その後、上記被研磨膜の化学的機械研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/302 N