特許

J-GLOBAL ID：200903053747454096

半導体装置

発明者： 冨永 久昭
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252351
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 パワーMOSFETのボンディングワイヤレス構造を実現する上で、トランジスタのソースパッド電極とリードフレームとの接着性を向上するため全面に設けられる金属膜の応力により、Vgs(off)特性の変動が発生していた。【解決手段】 金属膜に多数の切欠部を設けることにより、全面の応力を分断して緩和する。応力が緩和すればVgs(off)特性の変動が解消されるので、規格値に合ったトランジスタを提供できる。更に、金属膜の表面積が従来以上になるような形状にすることにより、接着強度を従来程度確保し、且つ応力を緩和することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に設けられた第1電極層と該第1電極層上に設けた第2電極層とを有する半導体装置において、前記第2電極層には切欠部が多数設けられ、前記切欠部に前記第1電極層を露出させ、前記第2電極層上にリード端子を固着することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41

FI (8件)：

H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/60 321 V ,  H01L 21/88 T ,  H01L 29/44 F

Fターム (32件)：

4M104BB02 ,  4M104CC05 ,  4M104DD68 ,  4M104DD94 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM21 ,  5F033MM22 ,  5F033MM30 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ41 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX12 ,  5F033XX19 ,  5F044LL01 ,  5F044LL07 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR06