特許
J-GLOBAL ID：200903053750762486
完全密着型イメージセンサ及びユニツト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048826
出願日： 1991年08月15日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 耐静電気性と耐摩耗性とを向上させ、画像読み取りの解像度、分解能、および光の転送効率を維持する高性能の完全密着型イメージセンサユニットを提供する。【構成】 表面上に回路導体層2を形成した透光性基板1と、この透光性基板1の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂5を介して受光素子7及び走査回路8を有する半導体イメージセンサチップ3をフェイスダウンで、その半導体イメージセンサチップ3上に形成された取り出し電極4が回路導体層2に当接する構造をしたもので、受光素子7及び走査回路8が当接される場所で透光性基板1上に透明導電体層9を設け、透光性基板1の裏面には、透明絶縁層10または他方の透明導電体層を当接させ、この透明絶縁層10または透明導電体層を原稿密着面にし上方から光源(LEDアレイ)12で原稿11を照明して読み取る。
請求項（抜粋）：
表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基板の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂を介して実装した受光素子及び走査回路を有する半導体素子とを備え、上記半導体素子はフェイスダウンで、その半導体素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたもので、上記受光素子及び上記走査回路が当接される場所で透光性基板上に透明導電体層を設け、また上記透光性基板の裏面には透明絶縁層を設けた完全密着型イメージセンサ。
IPC (3件)：
H04N 1/028
, H01L 27/14
, H04N 1/04 102
