特許

J-GLOBAL ID：200903053751942372

パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置

発明者： 大沼 英寿
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090767
公開番号（公開出願番号）：特開平10-282635
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】設計パターンデータの近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、設計パターンの線幅と間隔を実用的な速度で求め得る方法を含むパターンデータ補正方法を提供する。【解決手段】複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正方法は、(イ)設計パターンデータを階層領域ビットマップ化したビットマップデータを作成する工程、(ロ)設計パターンの線幅、及び該設計パターンに隣接する設計パターンとの間の間隔を該ビットマップデータから求める工程、及び、(ハ)近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、求められた設計パターンの線幅及び間隔に基づき設計パターンデータの補正を行う工程を具備する。

請求項（抜粋）：

複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正方法であって、(イ)設計パターンデータを階層領域ビットマップ化したビットマップデータを作成する工程、(ロ)設計パターンの線幅、及び該設計パターンに隣接する設計パターンとの間の間隔を該ビットマップデータから求める工程、及び、(ハ)近接効果及び/又は光近接効果の補正のために、求められた設計パターンの線幅及び間隔に基づき設計パターンデータの補正を行う工程、を具備することを特徴とするパターンデータ補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P