特許

J-GLOBAL ID：200903053752366499

金属配線の高められたエレクトロマイグレーション寿命

発明者： ビュイ,ニューイアン・デュク ,  ウォレソン,ドナルド・エル
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-511945
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509286
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】金属配線のエレクトロマイグレーション寿命は、配線の長さを調節するか、長手方向に間隔をあけられた孔またはビアを設けて、金属配線のバックフロー電位容量を最適化することによって増加される。さらに、配線にかけての金属の全体の幅がその金属のためのバンブー効果に従って最適なエレクトロマイグレーション寿命のために選択されるように、細長いスロットが金属配線を通って形成される。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、 フィーチャーを有する導電パターンと、 導電パターン上に形成された絶縁層と、 絶縁層上に形成された金属配線とを含み、 金属配線は金属配線のための最小のバックフロー電位容量(図2)に対応する長さよりも小さい長さを有し、 金属配線は金属配線を通って絶縁層に至る1つ以上のスロットを含み、 各スロットはその幅よりも大きい長さを有し、 各スロットは導電ライン間の最小間隔よりも小さい最大幅を有し、 各スロットの最小幅はエッチングまたはフォトリソグラフィ技術の限界と等しいことを特徴とする、装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 23/12 Q