半導体デバイス異物分析装置およびシステム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-314426
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116184
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】高集積度半導体デバイスの歩留り向上と分析の高速、高効率化。【解決手段】異物、汚染部からレーザアブレーション法により得られるイオンからイオン2次元イメージ像を得ることによる半導体デバイスの分析方法とその分析工程を含む半導体デバイスの製造方法。特に0.1mm径異物を分析しうる空間分解能と検出感度を同時に満たすイオン光学系を有する上記方法。

請求項（抜粋）：

メモリ、ASIC、液晶、デイスク、など半導体デバイスの表面の微小部の異物または汚染部を含む領域にデバイスの位置決め駆動装置によりレーザビームの照射スポットを合わせ、レーザビームを照射し、異物または汚染部を蒸発、イオン化することにより、異物/汚染部の化学組成、構造を分析し、必要に応じて除去する装置および工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

G01N 27/64 , G01N 27/62 , H01J 49/40 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 27/64 B , G01N 27/62 K , H01J 49/40 , H01L 21/66 L

Fターム (8件)：

4M106AA01 , 4M106CA70 , 4M106CB21 , 4M106CB30 , 4M106DH01 , 4M106DH24 , 4M106DH32 , 4M106DJ04

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