特許
J-GLOBAL ID:200903053756632746

電荷発生器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 最上 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-300101
公開番号(公開出願番号):特開平8-137215
出願日: 1994年11月10日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 膜質の優れた電子放出部材を備え、再生画質を大幅に向上させた静電像形成装置などに用いる電荷発生器を提供する。【構成】 半導体基板103 上に形成した画素スイッチングトランジスタ101 と、該画素スイッチングトランジスタ101 の上部に形成された層間絶縁膜110 と、層間絶縁膜110 上に形成した前記画素スイッチングトランジスタ101 の一端に接続された画素電極111 と、画素電極111 上に形成された電子放出部材112 と、電子放出部材112 上に形成された電子放出孔114 を備えた上部電極113 とで構成した電荷発生制御素子100 を、1次元又は2次元状に配列して電荷発生器を構成する。
請求項(抜粋):
大気中もしくは真空中に、電子もしくは電荷を放出する機能を有する電荷発生制御素子を1次元あるいは2次元状に配列して形成した電荷発生器において、前記電荷発生制御素子の電子放出部材を備えた電荷発生部を素子の最表面に形成すると共に、電荷発生制御部を素子の下部に形成したことを特徴とする電荷発生器。
IPC (5件):
G03G 15/05 ,  H01L 27/00 301 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455
FI (2件):
G03G 15/00 116 ,  B41J 3/21 L

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