特許
J-GLOBAL ID:200903053756786182

脂環構造を有する新規ラクトン化合物及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-205217
公開番号(公開出願番号):特開2002-020377
出願日: 2000年07月06日
公開日(公表日): 2002年01月23日
要約:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるラクトン化合物。【化1】(式中、kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数である。)【課題】 本発明のラクトン化合物を重合することにより得られるポリマーを用いて調製したレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れ、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特に、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さく、かつ基板密着性に優れるため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるラクトン化合物。【化1】(式中、kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数である。)
IPC (5件):
C07D307/33 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 32/00 ,  C08G 61/08
FI (5件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 32/00 ,  C08G 61/08 ,  C07D307/32 E ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (26件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  4C037EA07 ,  4J032CA34 ,  4J032CA45 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CE12 ,  4J032CE13 ,  4J100AR11P ,  4J100BA11P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100JA38

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