特許
J-GLOBAL ID:200903053756786182
脂環構造を有する新規ラクトン化合物及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-205217
公開番号(公開出願番号):特開2002-020377
出願日: 2000年07月06日
公開日(公表日): 2002年01月23日
要約:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるラクトン化合物。【化1】(式中、kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数である。)【課題】 本発明のラクトン化合物を重合することにより得られるポリマーを用いて調製したレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れ、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特に、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さく、かつ基板密着性に優れるため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるラクトン化合物。【化1】(式中、kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数である。)
IPC (5件):
C07D307/33
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
, C08F 32/00
, C08G 61/08
FI (5件):
G03F 7/039 601
, C08F 32/00
, C08G 61/08
, C07D307/32 E
, H01L 21/30 502 R
Fターム (26件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 4C037EA07
, 4J032CA34
, 4J032CA45
, 4J032CB01
, 4J032CB03
, 4J032CE12
, 4J032CE13
, 4J100AR11P
, 4J100BA11P
, 4J100BC53P
, 4J100CA01
, 4J100JA38
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