特許

J-GLOBAL ID：200903053760348726

磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者： 青野 英樹 ,  渡辺 克朗 ,  岡田 智弘 ,  工藤 一恵
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017349
公開番号（公開出願番号）：特開平9-212828
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】良好な絶縁特性をもつ膜厚50nm以下の下部ギャップ絶縁膜を作製する。【解決手段】基板11上の下部シールド膜12aと上部シールド膜12bとの間に、膜厚50nm以下の下部ギャップ絶縁膜13a,磁気抵抗効果膜15,電極14,上部ギャップ絶縁膜13bが積層されている磁気抵抗効果型ヘッドで、下部シールド膜12aとして200°C以上の温度でも結晶化しないものを用いる、あるいは、下部ギャップ絶縁膜13aを作製した後、下部シールド膜12aを作製する。そして下部ギャップ絶縁膜13aを熱酸化法,CVD法など200°C以上の温度で作製する。

請求項（抜粋）：

下部シールド膜と上部シールド膜との間に、下部ギャップ絶縁膜,磁気抵抗効果膜,電極,上部ギャップ絶縁膜が積層されている磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部ギャップ膜の絶縁破壊電界が1.5MV/cm 以上あるいはピンホール密度が2×103個/cm2以下であることを特徴とする磁気ヘッド。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/00 ,  G11B 5/23 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/28

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/00 ,  G11B 5/23 W ,  G11B 5/31 Z ,  H01F 10/28