特許
J-GLOBAL ID：200903053764849150
シリコン半導体基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298135
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 低温デバイスプロセスに対応して最適化された酸素析出能を有するシリコン半導体基板の提供を目的とする。【解決手段】 550°C〜700°Cの低温の熱処理がP/P+エピタキシャルウェーハに施された場合、高密度の酸素析出物が形成されることによって析出物のサイズが極端に小さくなり、析出物周辺の歪みが著しく低下することによって積層欠陥やパンチアウト転位等の二次欠陥が全く発生しなくなり、IG能力の低下する現象に対して、抵抗率が酸素濃度に対して所定の関係を満たすようにボロン濃度が制御されたP型CZシリコン基板を用いると、低温プロセスにおけるIG能力の低下がない。
請求項（抜粋）：
少なくとも550°C〜700°Cの範囲の低温熱処理工程を経るデバイスプロセスに用いる、ボロンをドープしたP型CZシリコン半導体基板であり、基板の抵抗率ρsが酸素濃度[Oi](×1017atoms/cm3:ASTM F-121,1979))に対してρs=0.483[Oi]+0.97(mΩcm)の関係を満たす抵抗率以上で20mΩcm以下になるようにボロン濃度が制御され、基板上にP型のエピタキシャル層を成長したシリコン半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, H01L 21/18
, H01L 21/205
H01L 21/02 B
, C30B 29/06 A
, H01L 21/18
, H01L 21/205
