特許
J-GLOBAL ID:200903053767685264

多層配線基板の製造方法及び配線基板形成用金属板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾川 秀昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-383887
公開番号(公開出願番号):特開2002-359471
出願日: 2001年12月18日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 微細なバンプを有する高集積度の多層の配線基板を得る。【解決手段】バンプ形成用金属層2/エッチングストップ層3/配線膜形成用金属層4からなる多層金属板1の配線膜形成用金属層4で配線膜4aを形成し、バンプ形成用金属層2でバンプ2aを形成したものを複数用意し、一つの多層金属板1aのバンプ形成面に絶縁層5を接着し、そのバンプ2aに別の多層金属板1bの配線膜4aを接続することにより多層金属板1a・1bの積層をし、その後、更に別の多層金属板1bのバンプ形成面に絶縁層5を接着し、その後、該別の多層金属板1bのバンプ2aに更に別の多層金属板1cの配線膜4aを接続することにより多層金属板1cを積層するという積層工程を少なくとも有する。
請求項(抜粋):
バンプ形成用金属層にエッチングストップ層を介して配線膜形成用金属層又は配線膜を形成した多層金属板を複数枚用意し、まず第一の多層金属板のバンプ形成用金属層をパターニングしてバンプを形成し、上記バンプの形成面に絶縁層を、バンプの頂部のみが該絶縁層から露出するように形成し、その後、この多層金属板のバンプに該多層金属板とは該第2の多層金属板の配線層を形成した面を対向させることにより多層金属板を積層し、その後、更に第二の多層金属板の上記バンプの形成面に絶縁層を、バンプの頂部のみが絶縁層から露出するように形成し、その後、該第2の多層金属板のバンプに第三の多層金属板の配線膜を接続することにより多層金属板を積層するという積層工程を少なくとも有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (4件):
H05K 3/46 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40
FI (6件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 S ,  H05K 1/09 C ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/40 Z
Fターム (39件):
4E351AA01 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB26 ,  4E351BB29 ,  4E351BB36 ,  4E351BB49 ,  4E351DD04 ,  4E351DD19 ,  4E351GG01 ,  4E351GG11 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317BB15 ,  5E317CC60 ,  5E317CD23 ,  5E317CD25 ,  5E317GG14 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346DD02 ,  5E346DD32 ,  5E346EE31 ,  5E346FF35 ,  5E346FF36 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH22 ,  5E346HH26
引用特許:
審査官引用 (2件)

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