特許
J-GLOBAL ID:200903053773703894

フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-115493
公開番号(公開出願番号):特開2001-296646
出願日: 2000年04月17日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】フォトマスクに関し、露光時のフレアが原因で発生するレジストパターンの誤差を従来よりも小さくすること。【解決手段】透明基板22上の第1領域Aと第2領域Bにそれぞれ被覆率を異ならせて且つ半導体装置を構成する形状にパターニングされた第一の遮光膜23を有する通常露光領域Cと、第1領域Aと第2領域Bのうち被覆率の大きな方に対応した平面形状を有し且つ第一の遮光膜23よりも光透過率の小さな第二の遮光膜23から形成されたフレア補正露光領域Dとを有するとを含む。
請求項(抜粋):
透明基板上の第1領域と第2領域にそれぞれ被覆率を異ならせて且つ半導体装置を構成する形状にパターニングされた第一の遮光膜を有する通常露光領域と、前記第1領域と前記第2領域のうち前記被覆率の大きな方に対応した平面形状を有し且つ前記第一の遮光膜よりも光透過率の小さな第二の遮光膜から形成されたフレア補正露光領域とを有することを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 A
Fターム (8件):
2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB14 ,  2H095BB35 ,  2H095BC08 ,  5F046AA12 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17

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