特許

J-GLOBAL ID：200903053774438094

シムを用いる電子ビーム溶接方法

発明者： ガンジアン・フェン ,  ダニエル・アンソニー・ノワク ,  ジョン・トーマス・マーフィー
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 松本 研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-066751
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】【課題】 超合金材料を接合する改良型電子ビーム溶接方法。【解決手段】 本発明の電子ビーム溶接方法は、超合金材料間の接合部の溶接を、接合部に溶接可能なシムを挿入し、これら超合金材料を電子ビームで加熱することによって行う。本方法は、一定の溶加材割合にて接合部の完全な溶込みを達成でき、これにより接合部の疲労寿命を従来と比べて3〜4倍伸ばす。本方法では、シム厚さおよび接合部取付けギャップを変動させることができ、複雑なエーロフォイル構造体などを接合する際に製造の融通性が高まる。

請求項（抜粋）：

超合金材料(12)間の接合部(10)を電子ビーム溶接するにあたり、接合部に溶接可能なシム(14)を挿入し、これら超合金材料を電子ビームで加熱する工程を含む電子ビーム溶接方法。

IPC (3件)：

B23K 15/00 506 ,  B23K 15/00 501 ,  B23K103:08

FI (3件)：

B23K 15/00 506 ,  B23K 15/00 501 B ,  B23K103:08

Fターム (2件)：

4E066CB00 ,  4E066CC02